一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的電極肯定是栅極G。也可以将万用表の黑表笔（红表笔也行）任意接触一个電極，一只表笔依次去接触其余兩個電極測其電阻值。当出现兩次測得的電阻值近似相等時，则黑表笔所接觸的是栅極，其餘兩個電子路為漏極與源極。

（2）用测电阻法判别場效果應器好壞

測電阻法是通過萬用的R×100档來測量場效果應器三組端子的間距並與手冊標明標準數據進行對比，以便確定它是否正常或損壞。在這種情況下，如果你想要使用此方法，你首先需要確定你的設備是否已經準備就緒，並且你還需要有一些基本知識關於如何操作這些工具。

（3）感應信號輸入法估計場效果應器放大能力

要做到這點，你需要將萬用的紅色導線插入到你的場效果應器中的任何一個端口，而將藍色導線插入到另一個端口中。你需要注意，這種方法僅適用於MOSFET類型之間。如果你正在使用其他類型的情況下，那麼可能會有不同的步驟。

二、場效果應器使用注意事項

（1）為了安全地運行場結果應器，在設計線路時不能超過該設備耗散功率最大限制。

（2）各種類別之間都必須遵循特定的偏置要求，即使是在同一款產品中也有區分。

（3）MOSFET因為輸入阻抗很高，所以在運輸和儲存期間，它們必須被短路，並且最好放在金屬盒子中以防止外部感應影響它們。

（4）為了避免擊穿現象，每台儀器以及工作台本身都必需良好的接地。

（5）在安裝之前，最好讓元件保持固定的位置，以避免振動引起問題。

三.VMOS 圖像增強主動矽閘射電子開關 (VMOS)

VMOS 是 MOSFET 的後續發展，是一種高性能、高功率開關晶體管。它擁有最高 1200V 的耐壓能力，以及從 1.5A 到 100A 不等的大容量工作流程。此外，它具有優秀的小尺寸、高集成度和低成本，使它成為現代電子系統中的理想選擇之一。