在11月，日本三菱电机与荷兰安世半导体（Nexperia）宣布，将共同研发高效率的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。通过这次合作，双方旨在提升SiC宽禁带半导体的性能和能效，并满足不断增长的对高效分立式功率半导体需求。虽然具体芯片供应量尚未公布，但预计将于2023年内开始推出。

值得注意的是，安世半导体作为中国闻泰科技的子公司，其总部位于荷兰，并于11月初出售了其2021年收购的英国NWF晶圆厂。此外，尽管三菱电机和安世半导体都是专注于功率半导体领域的企业，但它们各自侧重点不同：三菱电机以提供多个离散元件组合成的一套高性能SiC模块产品而著称，而安世半導體则拥有丰富的元器件开发、生产和认证经验，以及一系列高质量宽禁带器件。

Mark Roeloffzen，负责安世双极性分立器件业务部的人士表示：“与三菱电机建立这一战略合作伙伴关系是我们在碳化硅技术方面取得重大进展的一个标志。结合两家公司在分立产品和封装技术上的专业知识，我们相信这将产生积极影响，为客户提供更高能效产品。”

Masayoshi Takemi博士，他是三菱电机半导体与器件部执行官兼集团总裁，也表达了类似的看法：“Nexperia是一家业界领先企业，在高品质分立半导体领域有着成熟且可靠的手段。我对此次合作感到非常兴奋，因为我们可以充分利用两家的技术优势。”